半導体

しばらく写真無しが続きましたが、今日から復活です。小さな箱が出てきたので開けてみたところ、ICがザクザク発見されました。これはその中の一つです。

前にPGAパッケージのμPD70216R-10を紹介したことがありますが、これはPLCCパッケージのμPD70216L-8です。これがどうしたわけかバラバラに3つも出てきました。

「R」⇒「L」はパッケージがPGAからPLCCに変わったための違い、「10」,「8」は動作クロックの違いですね。今回のものは「8841MK002」とありますから1988年製ということになります。

前回、集積されている周辺デバイスを具体的に書かなかったと思うのでデータシートから拾ってみました。

3回目はヨーロッパで使われるPro Electronの命名法について書いてみたいと思います。

参考にしたのは「European Type Designation Code System for Electronic Components」の16版です。過去のデバイス（記載の無いもの）についても一部他の情報で補いました。

型番の構成は「BC548A」を例にとると次のようになります。

1. 文字：ここでは「B」
2. 文字：ここでは「C」
3. 数字：ここでは「548」
4. 文字：ここでは「A」

これらについてそれぞれ見ていきます。

第1項の文字は以下のようになります。

トランジスタやダイオード等の個別半導体の型番はメーカに寄らず、1S1588, 2SA1015, 2SB56, 2SC945といった共通の型番が付いています。これはもともと「JIS C 7012 半導体素子の形名」という規格に基づいて命名されており、この廃止後は「EIAJ ED-4001 個別半導体デバイスの形名」に基づいています。

途中で規格が変わっていますが（JIS C 7012, EIAJ ED-4001ともに改定されているので実際はもっと多い）骨格は変わっていませんのでまとめて説明したいと思います。

型番の構成は「2SC458B」を例にとると次のようになります。

1. 数字：ここでは「2」
2. 文字：ここでは「S」
3. 文字：ここでは「C」
4. 数字：ここでは「458」
5. 添え字：ここでは「B」

これらについてそれぞれ見ていきます。

まず1項の数字は次のようになります。

これはよくある256k （32k×8bit） SRAMかと思ったら、擬似SRAMでした。

Toshiba製のTC51832SPL-10という擬似SRAM、32k×8bit構成でアクセスタイムは100nsというものです。

以前μPD4168Cのところでも書きましたが、擬似SRAMとはDRAMのメモリセルとSRAMのインターフェイスを持つメモリデバイスのことです。大容量化に向いたDRAMメモリセルと扱いの容易なSRAMインターフェイスと、DRAMとSRAMのいいとこ取りをしたものですが、リフレッシュの必要性からは逃れることができません。

リフレッシュを行なう上で問題となるのはカウンタをどうするかといつ行うかということです。